[实用新型]磷扩散的硅片承载装置有效
| 申请号： | 201320604230.X | 申请日： | 2013-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN203481199U | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 冯丽萍 | 申请（专利权）人： | 常州银河电器有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673;H01L21/683 |
| 代理公司： | 常州市天龙专利事务所有限公司 32105 | 代理人： | 夏海初 |
| 地址： | 213022 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 实用新型涉及一种磷扩散的硅片承载装置，包括石英舟，而其：还包括两端有端侧板的石英托架，且石英托架的底部呈圆弧形结构而形成沉腔，在沉腔的底下表面有分开布置的支脚，所述石英舟设在石英托架的沉腔内，且石英舟的上沿口高出石英托架的上沿口。本实用新型具有结构简单，硅片易于与石英管相分离，且生产成本较低等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 扩散 硅片 承载 装置 | ||
【主权项】：
一种磷扩散的硅片承载装置，包括石英舟（1），其特征在于：还包括两端有端侧板（2‑3）的石英托架（2），且石英托架（2）的底部呈圆弧形结构而形成沉腔（2‑1），在沉腔（2‑1）的底外表面有分开布置的支脚（2‑2），所述石英舟（1）设在石英托架（2）的沉腔（2‑1）内，且石英舟（1）的上沿口高出石英托架（2）的上沿口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
