[实用新型]一种三维互连结构

摘要

本实用新型提供了一种三维互连结构，其半导体衬底包括相对的正面和背面；所述半导体衬底上具有贯穿正面和背面的梯形孔，所述梯形孔在所述半导体衬底正面的开口大于在所述半导体衬底背面的开口。通过在梯形孔斜面上方形成正面金属布线层，该正面金属布线层将衬底正面的正面金属布线层和衬底背面的背面金属布线层连接起来。在本实用新型提供的三维互连结构中，位于梯形孔斜面上的正面金属布线层相当于传输带，可以实现在半导体正面、梯形槽斜面以及半导体背面之间形成阻抗相同或相近的互连线，能够克服由于阻抗不匹配而引起的信号反射大的问题。

主权项

一种三维互连结构，其特征在于，所述三维互连结构至少包括第一正面金属布线层和第一背面金属布线层，其包括，半导体衬底，所述半导体衬底包括相对的正面和背面；所述半导体衬底上具有贯穿正面和背面的梯形孔，所述梯形孔在所述半导体衬底正面的开口大于在所述半导体衬底背面的开口；位于所述半导体衬底正面上方以及所述梯形孔斜面上方的正面绝缘层；位于所述正面绝缘层上方的第一正面金属布线层，所述第一正面金属布线层包括两个断开的第一正面金属布线子层；位于所述第一正面金属布线层上方的第一正面介质层；其中，所述第一正面介质层上包括多个预定开口，所述预定开口内形成有用于将所述第一正面金属布线层引出的互连；其中，位于所述三维互连结构的最外层的正面介质层还填充所述梯形孔；位于所述半导体衬底背面下方以及所述正面介质层下方的背面绝缘层，所述背面绝缘层在所述梯形孔斜面上的靠近所述梯形孔底部的正面金属布线层的下方形成开口；依次位于所述背面绝缘层以及所述位于所述梯形孔斜面上的靠近所述梯形孔底部的正面金属布线层下方的第一背面金属布线层和第一背面介质层；其中，所述第一背面金属布线层包括至少两个断开的、相互绝缘的第一背面金属布线子层，每个所述第一背面金属布线子层还填充所述背面绝缘层上的开口并通过所述背面绝缘层上的开口与所述正面金属布线层连接；所述第一背面介质层上形成有预定开口，所述预定开口内形成有用于将所述第一背面金属布线层引出的互连，并在每个所述第一背面金属布线子层下方形成有一个互连。