[实用新型]晶体管有效
| 申请号： | 201320609220.5 | 申请日： | 2013-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN203733804U | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | N·劳贝特;P·卡雷 | 申请（专利权）人： | 意法半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本实用新型的实施例提供一种晶体管，包括：硅衬底；外延源极和漏极，与硅衬底的表面接触并且形成于有源区域内，有源区域位于向硅衬底中至少部分延伸的成对的绝缘沟槽之间；衬底绝缘层，在位于源极与漏极之间的区域内与硅衬底接触；半传导鳍阵列，定位于源极与漏极之间，阵列与沟槽基本上平行对准，半传导鳍选择性地电耦合源极和漏极，而通过衬底绝缘层保持与硅衬底隔离；绝缘柱阵列，与半传导鳍阵列至少部分交错，绝缘柱提供局部化鳍间隔离；以及保形栅极，覆盖在每个半传导鳍的三侧上面并且与三侧至少部分邻接，栅极可操作用于响应于施加的电压控制半传导鳍内的电流流动。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 | ||
【主权项】：
一种晶体管，其特征在于，包括： 硅衬底； 外延源极和漏极，与所述硅衬底的表面接触并且形成于有源区域内，所述有源区域位于向所述硅衬底中至少部分延伸的成对的绝缘沟槽之间； 衬底绝缘层，在位于所述源极与所述漏极之间的区域内与所述硅衬底接触； 半传导鳍阵列，定位于所述源极与所述漏极之间，所述阵列与所述沟槽平行对准，所述半传导鳍选择性地电耦合所述源极和所述漏极，而通过所述衬底绝缘层保持与所述硅衬底隔离； 绝缘柱阵列，与所述半传导鳍阵列至少部分交错，所述绝缘柱提供局部化鳍间隔离；以及 保形栅极，覆盖在每个半传导鳍的三侧上面并且与所述三侧至少部分邻接，所述栅极可操作用于响应于施加的电压控制所述半传导鳍内的电流流动。
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