[实用新型]一种倒装高压LED芯片的结构

摘要

本实用新型提供的一种倒装高压LED芯片的结构，结构自上而下包括：衬底，n个芯片，每个芯片自上而下包括N-GaN、发光层、P-GaN，N-GaN表面上的N型接触层，P-GaN表面上的P型接触层，第一绝缘层，贯穿第一绝缘层与N型接触层互连的N型接触孔和与P型接触层互联的P型接触孔，与第一芯片上的P型接触孔连接的第一布线层，与第i芯片的N型接触层和第i+1芯片的P型接触层连接的第二布线层，与第n芯片的N型接触层连接的第三布线层，第二绝缘层，贯穿第二绝缘层与第一布线层互连的第一布线接触孔和与第三布线层互连的第三布线接触孔，与第三布线接触孔连接的N焊盘和与第一布线接触孔连接的P焊盘，从而使倒装芯片散热好，出光面积大，不挡光，工艺简单。

主权项

一种倒装高压LED芯片的结构，其特征在于，包括：衬底，位于所述衬底表面上彼此互相绝缘独立的第一至第n芯片，n为大于等于2的整数，每一所述芯片包括位于衬底表面上的N型氮化镓层、位于所述N型氮化镓层上的发光层、以及位于所述发光层上的P型氮化镓层；每一所述芯片表面均匀分布的贯穿P型氮化镓层、发光层直到停留在N型氮化镓层表面上的小孔，位于每一所述小孔内的N型氮化镓层表面上的一N型接触层，位于每一所述芯片的P型氮化镓层表面上的一P型接触层；填充满各所述芯片之间和各所述小孔内以及覆盖在所述P型接触层和P型氮化镓层的表面上的第一绝缘层；分别贯穿所述第一绝缘层、直到与所述N型接触层互连的N型接触孔和直到与所述P型接触层互连的P型接触孔；第一布线层，位于所述第一芯片上的部分第一绝缘层上且填充满与所述第一芯片上的P型接触层连接的P型接触孔；第二布线层，位于所述第i芯片和第i+1芯片之间的部分第一绝缘层上且填充满与所述第i芯片上的N型接触层连接的N型接触孔，以及填充满与所述第i+1芯片上的P型接触层连接的P型接触孔，i为大于等于1且小于n的整数；第三布线层，位于所述第n芯片上的部分绝缘层上且填充满与所述第n芯片上的N型接触层连接的N型接触孔；第二绝缘层，位于所述第一布线层、第二布线层和第三布线层的表面上及位于所述第一布线层、第二布线层和第三布线层彼此之间的第一绝缘层表面上；分别贯穿所述第二绝缘层、直到与所述第一布线层互连的第一布线接触孔 和直到与所述第三布线层互连的第三布线接触孔；以及相互绝缘的P焊盘和N焊盘，所述P焊盘位于部分所述第二绝缘层的表面上且填充满所述第一布线接触孔，所述N焊盘位于另一部分所述绝缘层的表面上且填充满所述第三布线接触孔。