[实用新型]一种触摸屏用ITO导电膜有效
申请号: | 201320631683.1 | 申请日: | 2013-10-12 |
公开(公告)号: | CN203535978U | 公开(公告)日: | 2014-04-09 |
发明(设计)人: | 李林波 | 申请(专利权)人: | 东莞市平波电子有限公司 |
主分类号: | H01B5/14 | 分类号: | H01B5/14;H01B1/08;H01B13/00 |
代理公司: | 东莞市华南专利商标事务所有限公司 44215 | 代理人: | 李玉平 |
地址: | 523000 广东省东莞市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型涉及触摸屏导电膜技术领域,具体涉及一种触摸屏用ITO导电膜,它包括100-150微米的树脂基体和依次沉积在树脂基体的8-10纳米的第一ITO层、6-8纳米的第二ITO层、4-6纳米的第三ITO层和2-4纳米的第四ITO层,本实用新型通过设置第一ITO层、第二ITO层、第三ITO层和第四ITO层,促使晶相结构逐步完善,ITO每次沉积后都会经历结晶过程,有效的促进了ITO层完善的结晶。本实用新型为了减少厚度对结晶的影响,将第一ITO层、第二ITO层、第三ITO层和第四ITO层的厚度依次减少,有利于结晶过程的进一步完善,本实用新型制得的触摸屏用ITO导电膜透过率高、电阻率低、化学稳定性好。 | ||
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【主权项】:
一种触摸屏用ITO导电膜,其特征在于: 包括树脂基体和依次沉积在树脂基体的第一ITO层、第二ITO层、第三ITO层和第四ITO层,所述树脂基体的厚度为100‑150微米,第一ITO层的厚度为8‑10纳米、第二ITO层的厚度为6‑8纳米、第三ITO层的厚度为4‑6纳米和第四ITO层的厚度为2‑4纳米。
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