[实用新型]一种电容器及功率集成电路有效
申请号: | 201320636913.3 | 申请日: | 2013-10-15 |
公开(公告)号: | CN203644778U | 公开(公告)日: | 2014-06-11 |
发明(设计)人: | 李照华;赵春波;林道明;戴文芳;陈艳霞 | 申请(专利权)人: | 深圳市明微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/06 | 分类号: | H01L27/06;H01L29/40 |
代理公司: | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人: | 张全文 |
地址: | 518000 广东省深圳市南山区高新*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型属于功率器件结构设计领域,提供了一种电容器及功率集成电路。该电容器下极板与场效应晶体管漏极共用有源区,该电容器的下极板与场效应晶体管漏极电连接,且该电容器的下极板为包含漏极的部分阱区,该电容器的上极板是包含场效应晶体管漏极的部分阱区对应的顶层金属,其中场效应管漏极采用“E”型布局,具体的,作为上极板的顶层金属分布在场效应管漏极“E”型布局的封口端,从而将电容集成到场效应晶体管中而没有增加场效应晶体管的体积,若将集成了电容的场效应晶体管应用到功率集成电路,则可减小集成有电容的现有功率集成电路的体积及降低生产成本,有利于产品的推广及应用。 | ||
搜索关键词: | 一种 电容器 功率 集成电路 | ||
【主权项】:
一种电容器,其特征在于,所述电容器下极板与场效应晶体管的漏极电连接,且所述电容器下极板为包含所述漏极的部分阱区,所述电容器的上极板是所述部分阱区对应的顶层金属; 所述场效应晶体管的漏极采用“E”型布局,作为所述电容器的上极板的所述顶层金属分布在所述“E”型布局的封口端; 所述场效应晶体管是NLDMOS管。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市明微电子股份有限公司,未经深圳市明微电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201320636913.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种风电交流变桨控制系统
- 下一篇:燃油供给装置及其中的回油三通管
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的