[实用新型]紫外雪崩二极管测试装置有效

专利信息
申请号: 201320642914.9 申请日: 2013-10-18
公开(公告)号: CN203490338U 公开(公告)日: 2014-03-19
发明(设计)人: 申志辉;罗木昌;周勋;龙维刚 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第四十四研究所
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26
代理公司: 重庆辉腾律师事务所 50215 代理人: 侯懋琪;侯春乐
地址: 400060 重庆*** 国省代码: 重庆;85
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摘要: 一种紫外雪崩二极管测试装置,其结构为:所述测试装置由光源、导轨、光学组件、夹具和壳体组成;光源、光学组件和夹具顺次设置于导轨上,且光源、光学组件和夹具均与导轨滑动连接;壳体将光源、导轨、光学组件和夹具包裹在内;待测件设置于夹具上,待测件与一测试源表相连。本实用新型的有益技术效果是:结构简单、成本低廉,操作十分简单、方便,可满足对大批量器件进行高效测试的需求。
搜索关键词: 紫外 雪崩 二极管 测试 装置
【主权项】:
一种紫外雪崩二极管测试装置,其特征在于:所述测试装置由光源(1)、导轨(2)、光学组件、夹具(6)和壳体(7)组成;光源(1)、光学组件和夹具(6)顺次设置于导轨(2)上,且光源(1)、光学组件和夹具(6)均与导轨(2)滑动连接;壳体(7)将光源(1)、导轨(2)、光学组件和夹具(6)包裹在内;待测件设置于夹具(6)上,待测件与一测试源表相连。
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