[实用新型]提高发光效率的LED芯片结构有效
| 申请号： | 201320652417.7 | 申请日： | 2013-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN203521452U | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 邓群雄;郭文平;柯志杰;黄慧诗 | 申请（专利权）人： | 江苏新广联科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214192 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种提高发光效率的LED芯片结构，包括衬底，衬底上设置N型氮化镓层，其特征是：在所述N型氮化镓层上表面设置量子阱，在量子阱上表面设置P型氮化镓层，在P型氮化镓层上表面设置第一金属膜，在第一金属膜上表面设置P电极，在P型氮化镓层上表面设置氧化铟锡薄膜，该氧化铟锡薄膜覆盖P型氮化镓层和第一金属膜；在所述N型氮化镓层上表面具有刻蚀形成的刻蚀区域，在刻蚀区域设置N电极，N电极的底部设置第二金属膜，N电极与N型氮化镓层欧姆接触。所述第一金属膜与P型氮化镓层之间非欧姆接触。所述第一金属膜和第二金属膜为铂、铑或铝。本实用新型所述提高发光效率的LED芯片结构增大了P、N两电极下方对光的反射，提高外量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 发光 效率 led 芯片 结构 | ||
【主权项】：
一种提高发光效率的LED芯片结构，包括衬底（1），衬底（1）上设置N型氮化镓层（2），其特征是：在所述N型氮化镓层（2）上表面设置量子阱（3），在量子阱（3）上表面设置P型氮化镓层（4），在P型氮化镓层（4）上表面设置第一金属膜（5‑1），在第一金属膜（5‑1）上表面设置P电极（6），在P型氮化镓层（4）上表面设置氧化铟锡薄膜（8），该氧化铟锡薄膜（8）覆盖P型氮化镓层（4）和第一金属膜（5‑1）；在所述N型氮化镓层（2）上表面具有刻蚀形成的刻蚀区域，在刻蚀区域设置N电极（7），N电极（7）的底部设置第二金属膜（5‑2），N电极（7）与N型氮化镓层（2）欧姆接触。
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