[实用新型]低失调传感器检测电路有效
| 申请号： | 201320654585.X | 申请日： | 2013-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN203522653U | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 黄友华 | 申请（专利权）人： | 成都市宏山科技有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/30 | 分类号： | H03F1/30 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610000 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种低失调传感器检测电路，它包括场效应管MOS2、场效应管MOS3、场效应管MOS5、场效应管MOS6、电容C1、电容C2、电容C3、时钟控制电路、放大器和DA转换器。其优点是：可消除放大器两端的失调电压，检测精度高，而且电路结构简单。 | ||
| 搜索关键词： | 失调 传感器 检测 电路 | ||
【主权项】：
低失调传感器检测电路，其特征在于：它包括场效应管MOS2、场效应管MOS3、场效应管MOS5、场效应管MOS6、电容C1、电容C2、电容C3、时钟控制电路、放大器和DA转换器，所述的场效应管MOS2、场效应管MOS3、场效应管MOS5和场效应管MOS6的栅极均连接在时钟控制电路上；所述的场效应管MOS2的漏极和场效应管MOS5的漏极均与电源相连；所述的电容C1的一端接地，另一端与场效应管MOS2的源极相连；所述的电容C2的一端接地，另一端与场效应管MOS5的源极相连；所述的放大器的两个输入端分别与场效应管MOS2的源极和场效应管MOS5的源极相连，输出端连接在DA转化器上；所述的电容C3的两端分别连接在放大器的两个输入端上；所述的场效应管MOS3的源极接地，漏极与场效应管MOS2的源极相连；所述的场效应管MOS6的源极接地，漏极与场效应管MOS5的源极相连。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都市宏山科技有限公司，未经成都市宏山科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201320654585.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
