[实用新型]一种基于酞菁铜-掺杂硅异质结的近红外光敏二极管

摘要

本实用新型公开了一种基于酞菁铜-掺杂硅异质结的近红外光敏二极管。由于结合了酞菁铜光敏层的高光吸收系数和掺杂硅的高载流子迁移率，本实用新型具有光电流大、光响应度高和稳定性好的优点。依据上述技术思路发明的近红外光敏二极管由掺杂硅、酞菁铜光敏层、金薄膜(顶电极)和铝薄膜(底电极)组成。其制备方法是，先用标准工艺清洗掺杂硅片；然后用真空热蒸发方法在硅片非抛光面制备一层铝薄膜(底电极)作为阳极；再用真空热蒸发方法在硅片抛光面制备一层酞菁铜光敏层；然后用真空热蒸发方法在酞菁铜光敏层上通过金属掩膜板制备插指状金薄膜(顶电极)作为阴极；最后将制作的器件封装。

主权项

一种基于酞菁铜‑掺杂硅异质结的近红外光敏二极管,其特征是它由掺杂硅、酞菁铜光敏薄膜、金薄膜和铝薄膜组成；掺杂硅兼作衬底，且p‑型,n‑型掺杂均可，铝薄膜蒸镀在掺杂硅的非抛光面，而酞菁铜光敏薄膜和金薄膜依次蒸镀在掺杂硅的抛光面；酞菁铜光敏薄膜与掺杂硅形成异质结；金薄膜作为顶电极，而铝薄膜作为底电极。