[实用新型]一种新型出光结构的GaN基发光二极管有效
| 申请号： | 201320659636.8 | 申请日： | 2013-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN203607445U | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 郝锐;林振贤;林永祥;汪俊翰 | 申请（专利权）人： | 广东德力光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 529000 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种新型出光结构的GaN基发光二极管，包括在生长面设有多个凹形结构的衬底，衬底生长面依次生长有第一半导体载流子注入层、发光结构和第二半导体载流子注入层，同时还公开了该GaN基发光二极管的制作方法，先通过湿刻或干刻法在衬底生长面上形成有序分布的直径为5-10um凹形结构阵列，再采用MOCVD方法在衬底上依次生长第一半导体载流子注入层、多量子阱结构和第二半导体载流子注入层。本实用新型制作出的发光二极管，性能可靠，发光效率高，且能显著改善器件尤其是大功率输入时的散热效率，明显降低结温。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 结构 gan 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种新型出光结构的GaN基发光二极管，其特征在于：包括在生长面设有多个凹形结构的衬底，衬底生长面依次生长有第一半导体载流子注入层、发光结构和第二半导体载流子注入层。
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