[实用新型]具有金属反射层的半导体发光器件有效
| 申请号： | 201320669246.9 | 申请日： | 2013-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN203659930U | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 王冬雷;廖汉忠 | 申请（专利权）人： | 大连徳豪光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/60 | 分类号： | H01L33/60 |
| 代理公司： | 广东秉德律师事务所 44291 | 代理人： | 杨焕军 |
| 地址： | 116100 辽宁省大*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 具有金属反射层的半导体发光器件，包括：衬底，形成于所述衬底上的N型半导体层、发光层和P型半导体层；设置于所述N型半导体层或P型半导体层上的线接合焊盘；还包括与所述线接合焊盘相接触的金属反射层，所述金属反射层的厚度为50～1000纳米。本实用新型通过设置与线接合焊盘接触的金属反射层，阻挡有源层发射的光子被线接合焊盘吸收，减少被线接合焊盘吸收的光子量，从而提高从发光器件的所有光提取效率。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 金属 反射层 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
具有金属反射层的半导体发光器件，包括：衬底，形成于所述衬底上的N型半导体层、发光层和P型半导体层；设置于所述N型半导体层或P型半导体层上的线接合焊盘； 其特征在于，还包括 与所述线接合焊盘相接触的金属反射层，所述金属反射层的厚度为50～1000纳米。
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