[实用新型]具有场板终端保护的4H-SiC肖特基源漏MOSFET器件有效
| 申请号： | 201320672241.1 | 申请日： | 2013-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN203707140U | 公开（公告）日： | 2014-07-09 |
| 发明（设计）人： | 张发生 | 申请（专利权）人： | 中南林业科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/47 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 410004 湖南省长沙*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种具有场板终端保护的4H-SiC肖特基源漏MOSFET器件，该具有场板终端保护的4H-SiC肖特基源漏MOSFET器件包括：衬底和外延层；外延层设置在衬底的上面。本实用新型较好的解决了SiCMOSFET存在反型层迁移率过低，导致器件跨导、导通电阻输出特性变差的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 终端 保护 sic 肖特基源漏 mosfet 器件 | ||
【主权项】：
一种具有场板终端保护的4H‑SiC肖特基源漏MOSFET器件，其特征在于，该具有场板终端保护的4H‑SiC肖特基源漏MOSFET器件包括：衬底和外延层；外延层设置在衬底的上面；外延层表面先后分别制备了多晶硅肖特基有源区和漏区，栅氧化层和栅极。
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