[实用新型]超结器件和包括该超结器件的半导体结构有效
| 申请号： | 201320674971.5 | 申请日： | 2013-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN203659870U | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | F.希尔勒;A.毛德 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 马丽娜;王洪斌 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 超结器件和包括该超结器件的半导体结构。超结器件包括：具有第一和第二表面的半导体本体；在第一表面处位于半导体本体中的第一导电类型的源区；在第二表面处位于半导体本体中的第一导电类型的漏区；位于源区和漏区之间的半导体本体中的第二导电类型的体区；位于体区和漏区之间的半导体本体中的漂移区，漂移区由沿平行于第一表面的方向交替排列的第一导电类型的第一区和第二导电类型的第二区形成；沟槽栅结构，从第一表面延伸到漂移区的第一区中，沟槽栅结构包括在半导体本体中的沟槽、在沟槽中的栅电极和位于半导体本体和栅电极之间围绕栅电极的第一栅极氧化层。第一栅极氧化层位于栅电极底部和沟槽底部之间的那部分的厚度在150nm－600nm的范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 器件 包括 半导体 结构 | ||
【主权项】：
一种超结器件，包括：具有第一和第二表面的半导体本体；在第一表面处位于所述半导体本体中的第一导电类型的源区；在第二表面处位于所述半导体本体中的第一导电类型的漏区；位于所述源区和所述漏区之间的所述半导体本体中的第二导电类型的体区；位于所述体区和所述漏区之间的所述半导体本体中的漂移区，所述漂移区是由沿平行于所述第一表面的方向交替排列的第一导电类型的第一区和第二导电类型的第二区形成的；和沟槽栅结构，其从所述第一表面延伸到所述漂移区的所述第一区中，其中所述沟槽栅结构包括在所述半导体本体中的沟槽、在所述沟槽中的栅电极和位于所述半导体本体和所述栅电极之间并围绕所述栅电极的第一栅极氧化层，其特征在于，所述第一栅极氧化层的位于所述栅电极的底部和所述沟槽的底部之间的那部分的厚度在150 nm－600 nm的范围内。
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