[实用新型]光电转换元件、固体摄像装置以及电子设备有效
申请号: | 201320680767.4 | 申请日: | 2013-10-30 |
公开(公告)号: | CN203839382U | 公开(公告)日: | 2014-09-17 |
发明(设计)人: | 宇高融;榎修;村田昌树;森本类;新井龙志 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/30 | 分类号: | H01L27/30;H01L51/42 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本实用新型涉及光电转换元件、固体摄像装置以及电子设备。其中,光电转换元件具备有机光电转换膜,夹着有机光电转换膜而设置的第一电极及第二电极,以及设于第二电极和有机光电转换膜之间的电荷阻挡层,电荷阻挡层具有包含调整有机光电转换膜的第二电极侧的功函数的金属元素的功函数调整层,以及设于功函数调整层与第二电极之间、抑制金属元素向第二电极侧扩散的第一扩散抑制层。根据本实用新型能够提供一种光电转换元件、固体摄像装置以及电子设备,能够有效地取出信号,使元件特性稳定化,提高可靠性。 | ||
搜索关键词: | 光电 转换 元件 固体 摄像 装置 以及 电子设备 | ||
【主权项】:
一种光电转换元件,其特征在于, 具备: 有机光电转换膜; 第一电极及第二电极,夹着所述有机光电转换膜而设置;以及 电荷阻挡层,设于所述第二电极与所述有机光电转换膜之间, 所述电荷阻挡层具有: 功函数调整层,包含调整所述有机光电转换膜的所述第二电极侧的功函数的金属元素;以及 第一扩散抑制层,设于所述功函数调整层与所述第二电极之间、抑制所述金属元素向所述第二电极侧扩散。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的