[实用新型]一种机械式自转MOCVD副衬托盘有效
申请号: | 201320703815.7 | 申请日: | 2013-11-07 |
公开(公告)号: | CN203613261U | 公开(公告)日: | 2014-05-28 |
发明(设计)人: | 金英镐;金相模 | 申请(专利权)人: | 北京希睿思科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458 |
代理公司: | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369 | 代理人: | 史霞 |
地址: | 100102 北京市朝阳*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种机械式自转MOCVD副衬托盘,包括:衬底置放盘,其上置放有待被气相沉积的衬底;衬底齿轮,其固接在衬底置放盘的下方;第一驱动机构,其驱动所述衬底齿轮沿第一方向转动,衬底齿轮带动所述衬底置放盘转动。本实用新型打破了现有技术的偏见,即认为衬底置放盘不能够用齿轮驱动,而必须用气流驱动。本实用新型的衬底置放盘在齿轮的驱动下,运转更加平稳,使得气相沉积的效果更佳。 | ||
搜索关键词: | 一种 机械式 自转 mocvd 衬托 | ||
【主权项】:
一种机械式自转MOCVD副衬托盘,其特征在于,包括:衬底置放盘,其上置放有待被气相沉积的衬底;衬底齿轮,其固接在衬底置放盘的下方;第一驱动机构,其驱动所述衬底齿轮沿第一方向转动,衬底齿轮带动所述衬底置放盘转动。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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