[实用新型]基于MEMS技术的接触式四电极盐度传感器有效
申请号: | 201320712132.8 | 申请日: | 2013-11-12 |
公开(公告)号: | CN203630077U | 公开(公告)日: | 2014-06-04 |
发明(设计)人: | 陈秋兰;唐观荣;邸思;金建;陈贤帅 | 申请(专利权)人: | 广州中国科学院先进技术研究所 |
主分类号: | G01N27/06 | 分类号: | G01N27/06 |
代理公司: | 深圳汇智容达专利商标事务所(普通合伙) 44238 | 代理人: | 熊贤卿 |
地址: | 511458 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种基于MEMS技术的接触式四电极盐度传感器,包含石英基片衬底、Si3N4粘附层和铂金属电极,所述Si3N4粘附层位于石英基片底衬的上表面,所述铂金属电极位于Si3N4粘附层之上;所述铂金属电极包含接触区、电导率感应电极和温度感应电极;所述基于MEMS技术的接触式四电极盐度传感器的正面和背面还各包含一层Si3N4保护层,正面Si3N4保护层刻蚀出窗口,露出电导率感应电极和温度感应电极。本实用新型基于MEMS技术的接触式四电极盐度传感器器件尺寸小,具有较高的测量范围和稳定性,可直接与海水长久接触而不产生漂移。 | ||
搜索关键词: | 基于 mems 技术 接触 电极 盐度 传感器 | ||
【主权项】:
一种基于MEMS技术的接触式四电极盐度传感器,其特征在于:包含石英基片衬底、Si3N4粘附层和铂金属电极,所述Si3N4粘附层位于石英基片底衬的上表面,所述铂金属电极位于Si3N4粘附层之上;所述铂金属电极包含接触区、电导率感应电极和温度感应电极;所述电导率感应电极有4个,每个电导率感应电极具有1个接触区;所述温度感应电极有1个,温度感应电极的两端各有1个接触区;所述基于MEMS技术的接触式四电极盐度传感器的正面和背面还各包含一层Si3N4保护层,正面Si3N4保护层刻蚀出窗口,露出电导率感应电极和温度感应电极。
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