[实用新型]单片超小型MEMS芯片

摘要

本实用新型公开一种单片超小型MEMS芯片，由盖板、MEMS层和硅穿孔层组成，盖板上有一个下腔体，硅穿孔层上有一个上腔体，上腔体深度为1～5µm，上、下腔体与MEMS层围成密封腔，MEMS结构位于密封腔内；硅穿孔层上有隔离沟，隔离沟将硅穿孔层分为密封区、垂直电极和导电柱，MEMS结构通过键合块与导电柱电连接；硅穿孔层上有绝缘层，绝缘层上有通孔，绝缘层上有金属导线层，金属导线层与导电柱和垂直电极电连接；绝缘层上有钝化层，钝化层上有压焊窗口；钝化层上有屏蔽金属层。本实用新型通过减小上腔体的深度，将部分硅穿孔层直接作为垂直电极，不需要另外制作垂直电极，工艺流程简单，可减小MEMS芯片的面积和体积，成本低，成品率高。

主权项

单片超小型MEMS芯片，由盖板、MEMS层和硅穿孔层键合而成，盖板上至少有一个开口向上的下腔体，硅穿孔层上至少有一个开口向下的上腔体，上腔体、下腔体与MEMS层共同围成密封腔，MEMS结构位于密封腔内，盖板与MEMS层间有键合材料层，其特征在于：所述上腔体的深度为1～5 µm；所述硅穿孔层上刻蚀有隔离沟，隔离沟内填充绝缘材料，隔离沟将硅穿孔层分为密封区、垂直电极和导电柱，MEMS结构通过键合块与导电柱电连接；硅穿孔层外表面至少有一层绝缘层，绝缘层上开有通孔，绝缘层上至少有一层图形化的金属导线层，金属导线层通过绝缘层上的通孔与导电柱和垂直电极电连接；所述绝缘层上至少有一层钝化层，金属导线层包裹在钝化层中，钝化层上至少有一个压焊窗口；钝化层上至少有一层屏蔽金属层。