[实用新型]半导体装置有效
| 申请号： | 201320739156.2 | 申请日： | 2013-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN203562422U | 公开（公告）日： | 2014-04-23 |
| 发明（设计）人： | 蓜岛孝史;古原健二;泷启史 | 申请（专利权）人： | 三垦电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 樊一槿 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本实用新型实施例提供一种半导体装置，该半导体装置包括：第一模具垫；半导体元件，设置于所述第一模具垫的一侧的主平面上；第二模具垫；以及热敏电阻，以靠近所述半导体元件的方式，设置于所述第二模具垫的朝向所述半导体元件的一侧的主平面上。通过本实用新型，缩短了从半导体元件到热敏电阻的热路径，从而提高了热敏电阻的热敏感性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置包括：第一模具垫；半导体元件，设置于所述第一模具垫的一侧的主平面上；第二模具垫；以及热敏电阻，以靠近所述半导体元件的方式，设置于所述第二模具垫的朝向所述半导体元件的一侧的主平面上。
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