[实用新型]电子束熔炼高效去除多晶硅中杂质氧的装置有效
申请号: | 201320745900.X | 申请日: | 2013-11-22 |
公开(公告)号: | CN203699922U | 公开(公告)日: | 2014-07-09 |
发明(设计)人: | 王登科;郭校亮;姜大川;安广野;谭毅 | 申请(专利权)人: | 青岛隆盛晶硅科技有限公司 |
主分类号: | C01B33/037 | 分类号: | C01B33/037 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 266234 山东省*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本实用新型属于多晶硅提纯领域,具体涉及一种电子束熔炼高效去除多晶硅中杂质氧的装置,打破了传统的电子束熔炼模式,不在熔炼坩埚内进行电子束熔炼,而是借用导流槽进行电子束除氧熔炼,由于硅液能够在导流区域内铺散,比表面积增大,因此电子束熔炼除氧效果更好。本实用新型的优点在于:(1)提出了电子束除氧的工艺方法和用途,解决了多晶硅中杂质氧去除的难题,氧含量可以降低于0.0571ppmw以下,满足太阳能电池对多晶硅铸锭含氧量的要求;(2)多晶硅料高效带状除氧技术可增大硅液表面积30%以上,缩短除氧时间20%以上;(3)可实现连续化生产,提高生产效率35%以上。 | ||
搜索关键词: | 电子束 熔炼 高效 去除 多晶 杂质 装置 | ||
【主权项】:
一种电子束熔炼高效去除多晶硅中杂质氧的装置,包括炉体,其特征在于炉体内上部设置带有水冷的导流槽,该导流槽自上向下倾斜,炉体侧壁通连有送料机构,该送料机构的出料口位于导流槽位于高处的一端上方;位于导流槽上方的炉体顶部通连有熔化用电子枪和熔炼用电子枪;导流槽的倾泻口下方的炉体内底部设置有凝固坩埚。
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