[实用新型]一种铌酸锂光调制器有效
| 申请号： | 201320754966.5 | 申请日： | 2013-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN203658692U | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 朱忻;王子昊;沈雷;其他发明人请求不公开姓名 | 申请（专利权）人： | 苏州矩阵光电有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/035 | 分类号： | G02F1/035;G02B6/132 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 张建纲 |
| 地址： | 215614 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种铌酸锂光调制器，使用非晶硅在铌酸锂基底上制备波导结构，利用非晶硅的高折射率可以有效减小波导尺寸，从而减小金属电极之间的间距，进而使得所需调制电压低。优选使用氢化非晶硅制作波导芯片，其Si：H链的存在能够减小光学损耗。可以通过调节氢化非晶硅的厚度在保证波导尺寸的前提下最大化器件的光电效应。通过控制二氧化硅的厚度以及金属电极的厚度，能够保证较好的射频匹配，而与外界连接的光纤接口通过在穿过波导层的波导线实现，由于上述波导线都在波导层，能够留足封装或测试的金属区域。完善的封装工艺可以降低漏电现象发生的概率，避免因环境潮湿而导致的短路现象的发生，一定程度上提高了铌酸锂光调制器对环境的适应能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铌酸锂光 调制器 | ||
【主权项】：
一种铌酸锂光调制器，其特征在于，包括波导芯片以及在所述波导芯片上端的保护层和与外部光纤连接的波导线；所述波导芯片包括铌酸锂基底，以及依次设置于所述铌酸锂基底上的非晶硅层、二氧化硅层和金属电极；其中，所述非晶硅层的厚度小于所述铌酸锂基底的厚度，所述铌酸锂基底和所述非晶硅层共同构成波导；所述二氧化硅层上成型有电极填充区域，所述金属电极设置于所述电极填充区域内；所述波导线设置于所述铌酸锂基底和所述非晶硅层之间。
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