[实用新型]一种IGBT缓冲吸收电路有效
| 申请号： | 201320761013.1 | 申请日： | 2013-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN203590070U | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 黎齐;朱阳军;胡少伟;卢烁今 | 申请（专利权）人： | 上海联星电子有限公司;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H02M7/5387 | 分类号： | H02M7/5387 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘杰 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种IGBT缓冲吸收电路，属于晶体管技术领域。该缓冲吸收电路包括IGBT开关、电阻、电容、二极管和压敏电阻；其中，电容与二极管串联，与压敏电阻并联，在与电容串联，形成部件后，最后与IGBT开关并联。本实用新型通过压敏电阻，其阻值在纳秒级速度迅速减小，在很短时间内电容充电吸收尖峰电压，能很好的保护IGBT管。一个周期内缓冲电阻消耗功率为P=V2/4R，比一般RCD型吸收电路损耗更小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 缓冲 吸收 电路 | ||
【主权项】：
一种IGBT缓冲吸收电路，其特征在于，包括IGBT开关、电阻、电容、二极管和压敏电阻；其中，所述电容与所述二极管串联，与所述压敏电阻并联，在与所述电容串联，形成部件后，最后与所述IGBT开关并联。
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