[实用新型]一种基于电容结构的HEMT栅泄漏电流分离结构有效
| 申请号： | 201320766525.7 | 申请日： | 2013-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN203733810U | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 郑雪峰;范爽;郝跃;王冲;孙伟伟 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/92 | 分类号： | H01L29/92;H01L23/544;G01R19/00;G01R31/26 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种基于电容结构的HEMT栅泄漏电流分离结构，包括具有不同面积的两个环形肖特基栅电容：第一个肖特基电容和第二个肖特基电容；每个电容为两端结构，包含一个括栅电极和一个欧姆电极；第二个肖特基电容，其肖特基栅为中间部分没有淀积栅金属的环形，栅的外环半径与第一个肖特基电容的半径相等，内环半径为第一个肖特基电容的半径的0.707倍；两个肖特基电容的栅极-欧姆电极之间的距离相同。本实用新型具有结构简单、结果可靠的特点，能广泛应用于HEMT器件的材料生长与器件工艺优化及后续的可靠性评估等工作中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 电容 结构 hemt 泄漏 电流 分离 | ||
【主权项】：
一种基于电容结构的HEMT栅泄漏电流分离结构，其特征在于，包括具有不同面积的两个环形肖特基栅电容：第一个肖特基电容和第二个肖特基电容； 每个电容为两端结构，包含一个括栅电极和一个欧姆电极； 第二个肖特基电容，其肖特基栅为中间部分没有淀积栅金属的环形，栅的外环半径与第一个肖特基电容的半径相等，内环半径为第一个肖特基电容的半径的0.707倍； 两个肖特基电容的栅极‑欧姆电极之间的距离相同。
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