[实用新型]水平砷化镓单晶生长用籽晶腔及包括该籽晶腔的石英舟有效
| 申请号： | 201320792221.8 | 申请日： | 2013-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN203754848U | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 刘晓慧;马英俊;林泉;于洪国;武壮文;张洁 | 申请（专利权）人： | 有研光电新材料有限责任公司 |
| 主分类号： | C30B13/14 | 分类号： | C30B13/14;C30B29/42 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘秀青 |
| 地址： | 065001 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 一种水平砷化镓单晶生长用籽晶腔及包括该籽晶腔的石英舟，该籽晶腔具有头部和尾部，且该头部至该尾部逐渐加宽，而使该籽晶腔腔体的水平截面呈梯形。该石英舟还包括放肩部分、等径部分、舟尾部分。在水平砷化镓单晶的生长过程中，使用本实用新型，可以延长放肩过程，进而可以有效降低单晶头部位错密度，提高晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 水平 砷化镓单晶 生长 籽晶 包括 石英 | ||
【主权项】：
一种水平砷化镓单晶生长用籽晶腔，其特征在于，具有头部和尾部，且该头部至该尾部逐渐加宽，而使该籽晶腔腔体的水平截面呈梯形。
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