[实用新型]恒流二极管有效

专利信息
申请号: 201320815695.X 申请日: 2013-12-10
公开(公告)号: CN203631565U 公开(公告)日: 2014-06-04
发明(设计)人: 王英杰;徐敏杰;崔建;丁伯继 申请(专利权)人: 杭州士兰集成电路有限公司
主分类号: H01L29/861 分类号: H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 郑玮
地址: 310018 浙江省杭州市浙江省*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型提供了一种恒流二极管,包括:衬底;形成于所述衬底上的外延层;形成于所述衬底和外延层之间的第一掺杂区;形成于所述外延层中的第二掺杂区、第三掺杂区和第四掺杂区;形成于所述第三掺杂区表面的第一正电极和形成于所述第二掺杂区表面和第四掺杂区表面的第二正电极;形成于所述衬底背面的负电极;其中,所述第三掺杂区和第四掺杂区之间具有若干在第一方向上并排排列的所述第二掺杂区;所述第一掺杂区与所述第二掺杂区接触。在本实用新型提供的恒流二极管中,形成了侧栅加下栅JFET结构的恒流二极管,其恒定电流值主要取决于第二掺杂区的间距,恒流性能好。
搜索关键词: 二极管
【主权项】:
一种恒流二极管,其特征在于,包括:衬底;形成于所述衬底上的外延层;形成于所述衬底和外延层之间的第一掺杂区;形成于所述外延层中的第二掺杂区、第三掺杂区和第四掺杂区;形成于所述第三掺杂区表面的第一正电极和形成于所述第二掺杂区表面和第四掺杂区表面的第二正电极;形成于所述衬底背面的负电极;其中,所述第三掺杂区和第四掺杂区之间具有若干在第一方向上并排排列的所述第二掺杂区;所述第一掺杂区与所述第二掺杂区接触,所述第二掺杂区的表面通过所述第二正电极与所述第四掺杂区的表面导通;所述第一掺杂区和第二掺杂区均为第一导电型,所述第三掺杂区和第四掺杂区均为第二导电型,所述第一导电型与所述第二导电型的导电类型相反。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州士兰集成电路有限公司,未经杭州士兰集成电路有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201320815695.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top