[实用新型]具有电流阻挡效应的发光二极管有效
| 申请号： | 201320818565.1 | 申请日： | 2013-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN203631586U | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 李珅;李晓波;王义虎;甄珍珍;任继民;孟丽丽 | 申请（专利权）人： | 同辉电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 050200 河北省石*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种具有电流阻挡效应的发光二极管，涉及半导体器件技术领域。包括衬底层；位于衬底层上表面的N型层；位于N型层上表面左侧的发光层，位于N型层上表面右侧的N电极；位于发光层上表面的P型层，所述P型层的上表面设有向下凹陷的P型刻蚀区域，电流扩展层位于P型层的上表面，P电极位于所述P型刻蚀区域内的电流扩展层的上表面。所述发光二极管的P型层上设有向下凹陷的P型刻蚀区域，达到了电流阻挡效应，提高了二极管的发光亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电流 阻挡 效应 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种具有电流阻挡效应的发光二极管，包括衬底层（200）；位于衬底层（200）上表面的N型层（201），所述N型层（201）上设有凸台；位于N型层（201）凸台上表面的发光层（202），位于凸台右侧的N型层（201）上表面的N电极（207）；位于发光层（202）上表面的P型层（203），其特征在于：所述P型层（203）的上表面设有向下凹陷的P型刻蚀区域（204），电流扩展层（205）位于P型层（203）的上表面，P电极（206）位于所述P型刻蚀区域（204）内的电流扩展层（205）的上表面。
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