[实用新型]沟槽型绝缘栅双极晶体管的沟槽栅结构有效
| 申请号： | 201320821236.2 | 申请日： | 2013-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN203631558U | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 戚丽娜;张景超;刘利峰;赵善麒;王晓宝 | 申请（专利权）人： | 江苏宏微科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人： | 贾海芬 |
| 地址： | 213022 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种沟槽型绝缘栅双极晶体管的沟槽栅结构，所述沟槽栅的栅孔引线顶部与栅极金属相接、底部与阻挡氧化层和多晶硅栅引线相连，所述的多晶硅栅引线通过栅氧化层设置在由阻挡氧化层和场氧化层形成的引线沟槽内，多晶硅栅引线是在硅片沟槽内的多晶硅层的外周，阻挡氧化层位于场氧化层的上部并形成引线沟槽的凸台。本实用新型将多晶硅层周边的多晶硅栅引线埋在由阻挡氧化层和场氧化层形成的引线沟槽内，对栅极引线孔的宽度设计没有特殊要求，能简化制作工艺，降低制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 绝缘 双极晶体管 结构 | ||
【主权项】：
一种沟槽型绝缘栅双极晶体管的沟槽栅结构，其特征在于：所述沟槽栅的栅孔引线（8）顶部与栅极金属（7）相接、底部与阻挡氧化层（3）和多晶硅栅引线（5‑1）相连，所述的多晶硅栅引线（5‑1）设置在由阻挡氧化层（3）和场氧化层（2）形成的引线沟槽内，多晶硅栅引线（5‑1）是在多晶硅层（5）的外周，阻挡氧化层（3）位于场氧化层（2）的上部并形成引线沟槽的凸台。
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