[实用新型]一种可控硅边缘结构有效
| 申请号： | 201320822981.9 | 申请日： | 2013-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN203659872U | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 邹有彪;张鹏 | 申请（专利权）人： | 启东吉莱电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/06 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 卢海洋 |
| 地址： | 226200 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种可控硅边缘结构，包括阴极区，该阴极区的三个拐角边缘为内弯大圆弧，该内弯大圆弧的弧度为90°~140°。本实用新型的优点是：内弯的大圆弧拐角边缘削弱了电荷的聚集，同时一部分短路作用也较大地辅助了电流和电压的泄放，有效地避免了可控硅经常被大电流和高电压烧毁的现象，提高了可控硅的可靠性和寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可控硅 边缘 结构 | ||
【主权项】：
一种可控硅边缘结构，包括阴极区，其特征在于：所述阴极区的三个拐角边缘为内弯大圆弧。
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