[实用新型]一种台面大功率半导体器件多层复合膜钝化结构有效
| 申请号： | 201320823483.6 | 申请日： | 2013-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN203659837U | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 刘宗贺;邹有彪;张鹏;王泗禹;耿开远;周健;李建新 | 申请（专利权）人： | 启东吉莱电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/29 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 卢海洋 |
| 地址： | 226200 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种台面大功率半导体器件多层复合膜钝化结构，包括P型硼结区和N型磷结区，N型磷结区上下两端均设有P型硼结区，在台面大功率半导体器件台面PN结表面从内到外依次包括α-多晶硅层、半绝缘多晶硅薄膜、低温热氧化层、高温Si3N4薄膜、负电荷性玻璃钝化层和低温热氧化层。本实用新型的有益效果是：该台面大功率半导体器件多层复合膜钝化结构既可用于单台面功率半导体器件钝化也可用于双台面功率半导体器件钝化，应用广泛，采用多层复合薄膜，能改善台面大功率半导体器件的结表面钝化性能，减小器件的漏电流，提高器件的高温工作稳定性和可靠性，提高器件的工作结温，大幅提高生产线产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 台面 大功率 半导体器件 多层 复合 钝化 结构 | ||
【主权项】：
一种台面大功率半导体器件多层复合膜钝化结构，包括P 型硼结区和N 型磷结区，所述N 型磷结区上下两端均设有P 型硼结区，其特征在于：在台面大功率半导体器件台面PN结表面从内到外依次包括α‑多晶硅层、半绝缘多晶硅薄膜、低温热氧化层、高温Si3N4薄膜、负电荷性玻璃钝化层和低温热氧化层。
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