[实用新型]一种提高正向耐压的可控硅台面结构有效
| 申请号： | 201320824883.9 | 申请日： | 2013-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN203659873U | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 耿开远;周健;刘宗贺;李建新 | 申请（专利权）人： | 启东吉莱电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/06;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 卢海洋 |
| 地址： | 226200 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种提高正向耐压的可控硅台面结构，包括阴极区、短基区、长基区、台面槽和硼穿通扩散区，所述硼穿通扩散区设于长基区的四周，每个硼穿通扩散区上开有穿通环，所述台面槽内填充有玻璃粉，台面槽的台面结构形成正角。此种正角台面结构，使得正向耐压大大提高，且形成的正角角度可根据需求调整，大大提高了可控硅的耐压水平。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 正向 耐压 可控硅 台面 结构 | ||
【主权项】：
一种提高正向耐压的可控硅台面结构，包括阴极区、短基区、长基区、台面槽和硼穿通扩散区，所述硼穿通扩散区设于长基区的四周，每个硼穿通扩散区上开有穿通环，所述台面槽内填充有玻璃粉，其特征在于：所述台面槽的台面结构形成正角。
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