[实用新型]一种半导体激光器有效
| 申请号： | 201320829740.7 | 申请日： | 2013-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN203674553U | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 渭南高新区晨星专利技术咨询有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/323 | 分类号： | H01S5/323 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 714000 陕西省*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种半导体激光器，其特征在于：所述半导体激光器顺序地包括以下层级：蓝宝石衬底；厚度为40-55纳米的低温GaN缓冲层；第一AlGaN层，第二AlGaN层，所述第一和第二AlGaN层的总厚度为2-3微米，并且所述第一AlGaN层具有高于所述第二AlGaN层的N掺杂浓度以及大于所述第二AlGaN层的厚度；厚度为80-90纳米的N型光波导层；厚度为4-5纳米的有源GaInN层；厚度为22-25纳米的P型AlGaN电子阻挡层；厚度为80-90纳米的P型光波导层；厚度大于500纳米的包覆层；以及厚度为110-120纳米的P型GaN层，所述P型GaN层具有低于所述第二AlGaN层的N掺杂浓度。该半导体激光器不仅比传统半导体激光器能发出频率更为单一的激光，而且发射出的激光远场图具有更小光斑。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体激光器 | ||
【主权项】：
一种半导体激光器，其特征在于：所述半导体激光器顺序地包括以下层级：蓝宝石衬底；厚度为40‑55纳米的低温GaN缓冲层；第一AlGaN层，第二AlGaN层，所述第一和第二AlGaN层的总厚度为2‑3微米，并且所述第一AlGaN层具有高于所述第二AlGaN层的N掺杂浓度以及大于所述第二AlGaN层的厚度；厚度为80‑90纳米的N型光波导层；厚度为4‑5纳米的有源GaInN层；厚度为22‑25纳米的P型AlGaN电子阻挡层；厚度为80‑90纳米的P型光波导层；厚度大于500纳米的包覆层；以及厚度为110‑120纳米的P型GaN层，所述P型GaN层具有低于所述第二AlGaN层的N掺杂浓度。
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