[实用新型]一种串联电阻法相电流检测电路有效

专利信息
申请号: 201320837817.5 申请日: 2013-12-17
公开(公告)号: CN203827233U 公开(公告)日: 2014-09-10
发明(设计)人: 张明星;王良坤;朱铁柱;夏存宝;陈路鹏;黄武康 申请(专利权)人: 嘉兴中润微电子有限公司
主分类号: H02P8/34 分类号: H02P8/34;H02P8/12
代理公司: 上海旭诚知识产权代理有限公司 31220 代理人: 丁惠敏
地址: 314006 浙江省嘉兴市凌公*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 实用新型提供的一种串联电阻法相电流检测电路,将采样电压信号放大,通过比较器电路将放大的信号与参考电压比较,实现相电流检测,进而实现斩波横流控制;通过数字信号控制放大的信号与采样电压信号的比值,实现不同的相电流值的检测,进而实现微步细分控制;采用由MOS管开关的电阻阵列,实现非线性可变增益放大器;由于比较器比较的是放大的信号,所以比较器随机失调误差对相电流控制精度的影响大大减小;同时由于是将采样电压信号放大,得到按正余弦变化的相电流值,因而放大倍数变化范围不大,电阻更容易选择,检测电路面积更小,并且检测精度提高。
搜索关键词: 一种 串联 电阻 法相 电流 检测 电路
【主权项】:
一种串联电阻法相电流检测电路,其特征在于,包括输入端VBI、VSEN、VREF和输出端VOUT,所述串联电阻法相电流检测电路包括多个P型MOS管MP0、MP2、MP2、MP3、MP4、MP5、MP6、MP7、MP8、MP9,N型MOS管MN0,电阻R0、R1、R2,晶体管Q1、Q2和比较器,其中 所述P型MOS管MP0、MP2、MP2、MP3、MP4、MP5组成共源共栅电流镜; 所述P型MOS管MP0、MP2、MP4的栅极连接在一起,所述P型MOS管MP0、MP2、MP4的源极与电源VDD连接,所述P型MOS管MP0的栅极与所述P型MOS管MP1的漏极连接; 所述P型MOS管MP0的漏极与所述P型MOS管MP1的源极连接,所述P型MOS管MP2的漏极与所述P型MOS管MP3的源极连接,所述P型MOS管MP4的漏极与所述P型MOS管MP5的源极连接; 所述P型MOS管MP1、MP3、MP5的栅极连接在一起,所述P型MOS管MP1的漏极经由所述电阻R0连接到所述输入端VBI,所述P型MOS管MP1的栅极与所述输入端VBI连接; 所述P型MOS管MP3的漏极与所述晶体管Q1的集电极连接,所述晶体管Q1的发射极经由电阻R1与所述输入端VSEN连接; 所述P型MOS管MP5的漏极与所述晶体管Q2的集电极连接,所述晶体管Q2的发射极经由电阻R2与地连接; 所述晶体管Q1、Q2的基极连接; 所述N型MOS管MN0的漏极与所述电源VDD连接,所述N型MOS管MN0的栅极与所述P型MOS管MP3的漏极连接,所述N型MOS管MN0的源极与所述晶体管Q1的基极连接; 所述P型MOS管MP6与所述P型MOS管MP7组成反馈回路; 所述P型MOS管MP6的源极与所述电源VDD连接,所述P型MOS管MP6的漏极与所述P型MOS管MP7的源极连接,所述P型MOS管MP7的漏极与所述晶体管Q2的发射极连接,所述P型MOS管MP7的栅极所述晶体管Q2的集电极连接; 所述P型MOS管MP6和所述P型MOS管MP7,与所述P型MOS管MP8和所述P型MOS管MP9组成共源共栅电流镜; 所述P型MOS管MP8的源极与所述电源VDD连接,所述P型MOS管MP8与所述P型MOS管MP6的栅极连接,所述P型MOS管MP8的漏极与所述P型MOS管MP9的源极连接; 所述P型MOS管MP9的栅极与所述P型MOS管MP7的栅极连接;所述P型MOS管MP9的漏极连接与所述比较器的正相输入端连接; 所述输入端VREF与所述比较器的反相输入端连接; 所述输出端VOUT与所述比较器的输出连接; 所述串联电阻法相电流检测电路还包括由MOS管开关的电阻阵列,所述由MOS管开关的电阻阵列串联到所述P型MOS管MP9的漏极。 
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