[实用新型]高散热性的LED封装结构有效
| 申请号： | 201320839475.0 | 申请日： | 2013-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN203721757U | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 程志坚 | 申请（专利权）人： | 深圳市斯迈得光电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/64 |
| 代理公司： | 深圳市弘拓知识产权代理事务所(普通合伙) 44320 | 代理人： | 彭年才 |
| 地址： | 518100 广东省深圳市宝安*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型提出一种高散热性的LED封装结构，其包括内凹反射结构以及设置于内凹反射结构底部的LED芯片，所述内凹反射结构的底部包括绝缘间隔的正电极部和负电极部，所述LED芯片倒装设于内凹反射结构底部，所述正电极部和负电极部分别凸设有金属合金涂层，所述LED芯片的芯片正电极和芯片负电极对应焊接于正电极部和负电极部的金属合金涂层。该封装结构采用倒装固晶结构，将倒装芯片电极与金属合金涂层连接，便于芯片热量直接快速传导到正电极部和负电极部，正电极部和负电极部具有较大面积常为金属等导热性材料，降低热阻，极大提高LED封装结构的散热性能和散热效率。 | ||
| 搜索关键词： | 散热 led 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种高散热性的LED封装结构，其包括内凹反射结构以及设置于内凹反射结构底部的LED芯片，所述内凹反射结构的底部包括绝缘间隔的正电极部和负电极部，其特征在于，所述LED芯片倒装设于内凹反射结构底部，所述正电极部和负电极部分别凸设有金属合金涂层，所述LED芯片的芯片正电极和芯片负电极对应连接于正电极部和负电极部的金属合金涂层。
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