[实用新型]无引线平面表贴式厚膜混合集成电路

摘要

无引线平面表贴式厚膜混合集成电路，由陶瓷基片、厚膜导带、厚膜阻带、厚膜电容、厚膜电感、半导体裸芯片、片式元器件和封装芯片组成，陶瓷基片开有通孔，内填金属浆料形成金属通孔；陶瓷基片底面有平面对外连接端；在陶瓷基片的正面、底面集成有厚膜导带、厚膜阻带、厚膜电容、厚膜电感，其上覆盖有绝缘介质保护层；在陶瓷基片正面已进行引线键合的半导体裸芯片区域，覆盖有绝缘介质涂封层；片式元器件、半导体裸芯片焊接在相应的焊接区之上；封装芯片焊接在球型焊接区上。本实用新型特点有：①体积大幅缩小；②减小高频干扰；③实现表贴式安装，缩小装备体积，提升高频性能；④提高装备系统可靠性。可应用于多种领域，市场前景广阔。

主权项

无引线平面表贴式厚膜混合集成电路，主要由陶瓷基片(1)、厚膜导带(4)、厚膜阻带(5)、厚膜电容、厚膜电感、半导体裸芯片(9)、片式元器件(8)和封装芯片(11)组成，其特征在于它的陶瓷基片(1)开有通孔(2)，通孔(2)内填充有金属浆料，形成金属通孔(13)；陶瓷基片(1)的底面有平面对外连接端(3)；在陶瓷基片(1)的正面及底面集成有厚膜导带（4）、厚膜阻带（5）、厚膜电容、厚膜电感，其上覆盖有用绝缘介质陶瓷浆料在氮气保护环境中烧结成膜而形成的绝缘介质保护层（6）；陶瓷基片(1)正面的半导体裸芯片(9)覆盖有用绝缘介质浆料涂封和固化形成的绝缘介质涂封层(12)；半导体裸芯片(9)用键合丝(10)与陶瓷基片(1)上的金属导带连接；片式元器件(8)和半导体裸芯片(9)分别装结在相应的陶瓷基片(1)上的金属装结区域；封装芯片(11)焊接在球型焊接区(7)之上。