[实用新型]一种集成芯片电压采样电路有效
申请号: | 201320843288.X | 申请日: | 2013-12-20 |
公开(公告)号: | CN203606420U | 公开(公告)日: | 2014-05-21 |
发明(设计)人: | 刘飞;文锋;阮旭松;王占国;田远波 | 申请(专利权)人: | 惠州市亿能电子有限公司 |
主分类号: | G01R19/00 | 分类号: | G01R19/00;G01R1/36 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 任海燕;常跃英 |
地址: | 516006 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种集成芯片电压采样电路。该集成芯片电压采样电路包括电池电压采样芯片、多个串联式电池单元、稳压单元以及耐压单元,其中,稳压单元与电池电压采样芯片并联,耐压单元的两端分别与电池电压采样芯片和电池单元串联,当有高压脉冲产生时,耐压单元产生发热并且其阻值自动增大,从而能够阻值流经其的电流变大,以起到保护电池电压采样芯片的目的。本实用新型集成芯片电压采样电路,具有简单实用、安全可靠、成本低等优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 集成 芯片 电压 采样 电路 | ||
【主权项】:
一种集成芯片电压采样电路,其特征在于,其包括电池电压采样芯片、多个串联式电池单元、稳压单元以及耐压单元,所述稳压单元与所述电池电压采样芯片并联,所述耐压单元的两端分别与所述电池电压采样芯片和电池单元串联,所述电池单元产生的高压脉冲经过所述耐压单元,所述耐压单元温度升高、并且其阻值随着温度的升高亦不断增高。
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