[实用新型]一种晶体硅太阳电池的背面电极结构有效
| 申请号： | 201320847317.X | 申请日： | 2014-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN203659884U | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 黄海宾;周浪 | 申请（专利权）人： | 南昌大学 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224 |
| 代理公司： | 南昌洪达专利事务所 36111 | 代理人： | 刘凌峰 |
| 地址： | 330000 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 一种晶体硅太阳电池的背面电极结构，包括背铝层、背面主栅线和背面细栅线。其中，所述背铝层在电极背面为全表面覆盖，所述背面主栅线与背面细栅线均在背铝层表面，且相互垂直；所述背铝层的厚度为0.1-15.0微米，背面细栅线的厚度为5.0-30.0微米，宽度为0.1-5.0毫米，临近的背面细栅线的间距为1.0-10.0毫米。本实用新型通过背铝层厚度减少和增加了背面细栅线的结构设计，可在保持背场和导电效果的基础上减少了铝的用量，并可减少烧结过程中的热应力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 太阳电池 背面 电极 结构 | ||
【主权项】：
一种晶体硅太阳电池的背面电极结构，包括背铝层、背面主栅线和背面细栅线，其特征在于：所述背铝层在电极背面为全表面覆盖，所述背面主栅线与背面细栅线均在背铝层表面，且相互垂直；所述背铝层的厚度为0.1‑15.0微米；所述背面细栅线的厚度为5.0‑30.0微米，宽度为0.1‑5.0毫米，临近的背面细栅线的间距为1.0‑10.0毫米。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
