[实用新型]各区域冷却温度不同的衬底托盘有效
申请号: | 201320854048.X | 申请日: | 2013-12-23 |
公开(公告)号: | CN203631509U | 公开(公告)日: | 2014-06-04 |
发明(设计)人: | 崔相玉 | 申请(专利权)人: | 徐州同鑫光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687 |
代理公司: | 徐州支点知识产权代理事务所(普通合伙) 32244 | 代理人: | 张旭 |
地址: | 221000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开一种各区域冷却温度不同的衬底托盘,上托盘设有中心凹位、凹位中圈和凹位外圈;下托盘设有的中心凹槽、凹槽中圈和凹槽外圈的位置与上托盘上的中心凹位、凹位中圈和凹位外圈相对应;横截面为阶梯形的密封圈设置在中心凹槽、凹槽中圈和凹槽外圈中与密封圈相适应的阶梯形密封槽内,所述的凹槽外圈由内向外为向下的斜坡面,并在斜坡面的下端设有储气槽;所述的凹槽中圈由内向外为向下的斜坡面;所述的凹槽中圈的斜坡面与水平面的夹角小于凹槽外圈的斜坡面与水平面的夹角。能使衬底的各个部分冷却温度不同,从而保证衬底蚀刻的均匀性;保证上托盘与衬底之间的密封性,有效防止离子对下托盘的蚀刻,延长下托盘的使用寿命。 | ||
搜索关键词: | 各区 冷却 温度 不同 衬底 托盘 | ||
【主权项】:
一种各区域冷却温度不同的衬底托盘,包括上托盘(10)、下托盘(20)和通气孔(24),上托盘(10)设有中心凹位(13)、凹位中圈(12)和凹位外圈(11),中心凹位(13)置于上托盘(10)的圆心处;凹位中圈(12)置于中心凹位(13)的外侧,并围绕着中心凹位(13);凹位外圈(11)置于凹位中圈(12)的外侧,并围绕着凹位中圈(12);下托盘(20)设有的中心凹槽(23)、凹槽中圈(22)和凹槽外圈(21)的位置与上托盘(10)上的中心凹位(13)、凹位中圈(12)和凹位外圈(11)相对应;所述的中心凹槽(23)、凹槽中圈(22)和凹槽外圈(21)内各设有一个通气孔(24),其特征在于,还包括横截面为阶梯形的密封圈(27),所述密封圈(27)设置在中心凹槽(23)、凹槽中圈(22)和凹槽外圈(21)中与密封圈(27)相适应的阶梯形密封槽内,所述的凹槽外圈(21)由内向外为向下的斜坡面Ⅰ,并在斜坡面Ⅰ的下端处设有储气槽(25);所述的凹槽中圈(22)由内向外为向下的斜坡面Ⅱ(26);所述的凹槽中圈(22)的斜坡面Ⅱ(26)与水平面的夹角小于凹槽外圈(21)的斜坡面Ⅰ与水平面的夹角。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造