[实用新型]一种用于高强度磁场的单芯片参考桥式磁传感器

摘要

本实用新型公开了一种用于高强度磁场的单芯片参考桥式磁传感器，该传感器包括基片、参考臂、感应臂、屏蔽结构以及衰减器。其中参考臂、感应臂各自包含有至少两行/列由一个或多个相同磁电阻传感元件电连接构成的参考元件串、感应元件串；参考元件串与感应元件串相互交错排放，每个参考元件串上对应设置有一屏蔽结构，每个感应元件串上对应设置有一衰减器，磁电阻传感元件为选自AMR、GMR或者TMR传感元件中的一种，屏蔽结构和衰减器均为由坡莫合金这种铁磁材料制成的长矩形条阵列。此传感器可在准桥、参考半桥、参考全桥这三种电桥结构上得到实现。该传感器具有以下优点：功耗低、线性度好、工作范围宽以及能在高强度磁场中工作等。

主权项

一种用于高强度磁场的单芯片参考桥式磁传感器，其特征在于，该传感器包括:一个基片；至少一个沉积在所述基片上的参考臂，所述参考臂包含有至少一行/列由一个或者至少两个相同的磁电阻传感元件电连接构成的参考元件串；至少一个沉积在所述基片上的感应臂，所述感应臂包含有至少一行/列由一个或者至少两个相同的磁电阻传感元件电连接构成的感应元件串；至少一个衰减器和至少两个屏蔽结构，所述衰减器与所述屏蔽结构相交错间隔地排列，所述衰减器和所述屏蔽结构的形状相同，所述屏蔽结构的宽度和面积分别比所述衰减器的宽度和面积大；所述参考臂与所述感应臂连接构成一电桥；每个所述参考元件串上对应设置有一屏蔽结构，每个所述感应元件串上对应设置有一衰减器，所述参考元件串位于所述屏蔽结构的下方或上方，所述感应元件串位于所述衰减器的下方或上方；所述参考元件串和所述感应元件串的行/列数相同，并沿纵向或横向相交错间隔地排布；所述感应元件串处磁场的增益系数大于所述参考元件串处磁场的增益系数。