[实用新型]一种基于神经元MOS管的三值动态BiCMOS或门设计有效
| 申请号： | 201320855593.0 | 申请日： | 2013-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN203645649U | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 胡晓慧;杭国强;周选昌;杨旸;章丹艳 | 申请（专利权）人： | 浙江大学城市学院 |
| 主分类号： | H03K19/20 | 分类号： | H03K19/20 |
| 代理公司： | 杭州九洲专利事务所有限公司 33101 | 代理人： | 张羽振 |
| 地址： | 310015*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本实用新型公开了一种基于神经元MOS管的三值动态BiCMOS或门设计，包括高电平实现电路、中间电平实现电路、低电平实现电路；所述高电平实现电路包括nMOS管N1，三输入浮栅nMOS管N2，pnp型三极管Q1；所述中间电平实现电路包括pMOS管P2，npn型三极管Q3；所述低电平实现电路包括pMOS管P1，三输入浮栅nMOS管N3，npn型三极管Q2；所述pMOS管P1和P2的源级接工作电压VDD，栅极分别接CP和 |
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| 搜索关键词： | 一种 基于 神经元 mos 动态 bicmos 设计 | ||
【主权项】：
1.一种基于神经元MOS管的三值动态BiCMOS或门设计，其特征在于：包括高电平实现电路、中间电平实现电路、低电平实现电路；所述高电平实现电路包括nMOS管N1，三输入浮栅nMOS管N2，pnp型三极管Q1；所述中间电平实现电路包括pMOS管P2，npn型三极管Q3；所述低电平实现电路包括pMOS管P1，三输入浮栅nMOS管N3，npn型三极管Q2；所述pMOS管P1和P2的源级接工作电压VDD，栅极分别接CP和![]()
漏极分别接N3的漏极和Q3的基极；所述nMOS管N1的源级接地，栅极接![]()
漏极接N2的漏极；所述三输入浮栅nMOS管N2和N3的三个输入分别接x、y、GND和![]()
GND；所述三极管Q1、Q2、Q3的基极分别接N2的源级、N3的源级、P2的漏极，所述三极管Q1、Q2、Q3的集电极分别接工作电压VDD、输出F、输出F，所述三极管Q1、Q2、Q3的发射极分别接输出F、GND、1/2VDD。
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