[实用新型]一种硅晶片表面晶格结构损伤处理用混酸供应装置

摘要

本实用新型所述的一种硅晶片表面晶格结构损伤处理用混酸供应装置，适用于半导体硅抛光片制造过程中损伤层的去除工艺。混酸供应装置主要由化学品供应柜（2）、储酸罐（8）、防漏池（9）、液位指示杆（5）、高液位传感器（6）、低液位传感器（7）、上酸管道（4）、泄漏传感器（10）、泄漏排放管（11）、下酸管道（12）、水力喷射泵（17）、分流箱（18）、供酸管道（20）、排风管道（3）构成。本实用新型可以安装在离腐蚀机台很近且只有一墙之隔的房间内，减少了混酸存放在生产现场对人身及环境的危害，本实用新型具有结构简单、使用方便、安全可靠优点，可以在硅晶表面晶格结构损伤处理中广泛使用。

主权项

一种硅晶片表面晶格结构损伤处理用混酸供应装置，其特征是：所述的硅晶片表面晶格结构损伤处理用混酸供应装置主要是由化学品供应柜（2）、储酸罐（8）、防漏池（9）、液位指示杆（5）、高液位传感器（6）、低液位传感器（7）、上酸管道（4）、泄漏传感器（10）、泄漏排放管（11）、下酸管道（12）、水力喷射泵（17）、分流箱（18）、供酸管道（20）、排风管道（3）构成；其中，内层用聚四氟乙烯材料、外层采用玻璃钢或者不锈钢材料制成的储酸罐（8）固定安放在离地面高度2.8m平台上的防漏池（9）上，储酸罐（8）的顶部装有供混酸输入和输出的上酸管道（4）和下酸管道（12），储酸罐（8）的外部设置有标有刻度尺寸的液位指示杆（5），低液位传感器（7）安装在液位指示杆（5）刻度400L处的储酸罐（8）上，高液位传感器（6）安装在液位指示杆（5）刻度2400L处的储酸罐（8）上；防漏池（9）内装有一个与化学口供应柜（2）联动的泄漏传感器（10），防漏池（9）的底部通过排放品与泄漏排放管(11)连接；化学品供应柜（2）安装在储酸罐（8）的一侧，通过上酸管道（4）向储酸罐（8）内输送混酸，化学品供应柜（2）通过排风管道（3）与室外排风系统连接；水力喷射泵（17）安装在储酸罐（8）另一侧，通过下酸管道（12）与储酸罐（8）连接，水力喷射泵（17）顶部用管道与自来水管（15）连接，底部通过管道与泄漏排放管（11）连接；分流箱（18）与储酸罐（8）之间通过下酸管道（12）连接，并将流入的混酸分多支酸流由供酸管道（20）供给腐蚀工艺机台。