[实用新型]一种提高LED侧面出光的结构有效
| 申请号： | 201320872049.7 | 申请日： | 2013-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN203674250U | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 李晓波;王义虎;甄珍珍;王静辉;肖国华;孟丽丽;李珅;范胜华 | 申请（专利权）人： | 同辉电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 050200 河北省石*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种提高LED侧面出光的结构。尤其涉及半导体元件结构设计领域。LED芯片结构从下至上依次为蓝宝石衬底、N型半导体层、发光层、P型半导体层和电流扩展层，N型金属电极连接N型半导体层，P型金属电极连接电流扩展层，其特征在于所述N型半导体层、发光层和P型半导体层左侧为倾斜面，所述N型半导体层右侧为倾斜面。本实用新型将LED芯片刻蚀成梯形，并倒装在基板上，形成具有一定倾斜角度的LED芯片，提高了LED的侧面出光，从而提高了光效。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 led 侧面 结构 | ||
【主权项】：
一种提高LED侧面出光的结构，LED芯片结构从下至上依次为蓝宝石衬底（1）、N型半导体层（2）、发光层（3）、P型半导体层（4）和电流扩展层（5），N型金属电极（7）连接N型半导体层（2），P型金属电极（6）连接电流扩展层（5），其特征在于：所述N型半导体层（2）、发光层（3）和P型半导体层（4）左侧为倾斜面，所述N型半导体层（2）右侧为倾斜面。
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