[实用新型]一种提高LED侧面出光的结构有效
申请号: | 201320872049.7 | 申请日: | 2013-12-27 |
公开(公告)号: | CN203674250U | 公开(公告)日: | 2014-06-25 |
发明(设计)人: | 李晓波;王义虎;甄珍珍;王静辉;肖国华;孟丽丽;李珅;范胜华 | 申请(专利权)人: | 同辉电子科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/20 | 分类号: | H01L33/20 |
代理公司: | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人: | 米文智 |
地址: | 050200 河北省石*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种提高LED侧面出光的结构。尤其涉及半导体元件结构设计领域。LED芯片结构从下至上依次为蓝宝石衬底、N型半导体层、发光层、P型半导体层和电流扩展层,N型金属电极连接N型半导体层,P型金属电极连接电流扩展层,其特征在于所述N型半导体层、发光层和P型半导体层左侧为倾斜面,所述N型半导体层右侧为倾斜面。本实用新型将LED芯片刻蚀成梯形,并倒装在基板上,形成具有一定倾斜角度的LED芯片,提高了LED的侧面出光,从而提高了光效。 | ||
搜索关键词: | 一种 提高 led 侧面 结构 | ||
【主权项】:
一种提高LED侧面出光的结构,LED芯片结构从下至上依次为蓝宝石衬底(1)、N型半导体层(2)、发光层(3)、P型半导体层(4)和电流扩展层(5),N型金属电极(7)连接N型半导体层(2),P型金属电极(6)连接电流扩展层(5),其特征在于:所述N型半导体层(2)、发光层(3)和P型半导体层(4)左侧为倾斜面,所述N型半导体层(2)右侧为倾斜面。
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