[实用新型]一种提高LED侧面出光的结构有效

专利信息
申请号: 201320872049.7 申请日: 2013-12-27
公开(公告)号: CN203674250U 公开(公告)日: 2014-06-25
发明(设计)人: 李晓波;王义虎;甄珍珍;王静辉;肖国华;孟丽丽;李珅;范胜华 申请(专利权)人: 同辉电子科技股份有限公司
主分类号: H01L33/20 分类号: H01L33/20
代理公司: 石家庄国为知识产权事务所 13120 代理人: 米文智
地址: 050200 河北省石*** 国省代码: 河北;13
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摘要: 实用新型公开了一种提高LED侧面出光的结构。尤其涉及半导体元件结构设计领域。LED芯片结构从下至上依次为蓝宝石衬底、N型半导体层、发光层、P型半导体层和电流扩展层,N型金属电极连接N型半导体层,P型金属电极连接电流扩展层,其特征在于所述N型半导体层、发光层和P型半导体层左侧为倾斜面,所述N型半导体层右侧为倾斜面。本实用新型将LED芯片刻蚀成梯形,并倒装在基板上,形成具有一定倾斜角度的LED芯片,提高了LED的侧面出光,从而提高了光效。
搜索关键词: 一种 提高 led 侧面 结构
【主权项】:
一种提高LED侧面出光的结构,LED芯片结构从下至上依次为蓝宝石衬底(1)、N型半导体层(2)、发光层(3)、P型半导体层(4)和电流扩展层(5),N型金属电极(7)连接N型半导体层(2),P型金属电极(6)连接电流扩展层(5),其特征在于:所述N型半导体层(2)、发光层(3)和P型半导体层(4)左侧为倾斜面,所述N型半导体层(2)右侧为倾斜面。
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