[实用新型]一种可以提高直拉法单晶生长速度的冷却装置有效
| 申请号： | 201320883231.2 | 申请日： | 2013-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN203668549U | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 黄小卫;吴亮;孟召标;刘辉;伍耀川;陈龙 | 申请（专利权）人： | 上海涌真机械有限公司;苏州协鑫工业应用研究院有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种可以提高单晶生长速度的冷却装置。该装置为有锥度的筒状组合部件，由三层组成，最外层为低发射率的钼筒，中间层为内部通冷却介质的绕制铜管，铜管穿出炉外后，连接炉台冷却介质管路，最内层为铜筒。铜筒和绕制铜管之间充分焊接接触。铜筒的下端内径大于或等于导流筒的下端内径。该装置结构设计合理，铜管按照一定锥度绕制后，穿出炉外，杜绝了冷却介质在炉内泄漏的可能。导流筒可以避免熔体飞溅到冷却装置。在直拉法单晶炉热场中采用该装置，可以强化生长界面附近的晶体冷却效果，增大晶体的纵向温度梯度，从而大幅提高晶体的生长速度。达到快速生长晶体，降低晶体加工成本的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可以 提高 直拉法单晶 生长 速度 冷却 装置 | ||
【主权项】：
一种可以提高直拉法单晶生长速度的冷却装置，其安装于单晶炉内，其特征在于，该冷却装置由具有锥度的三层部件组合而成，最外层为钼筒（4），中间层为内部通冷却介质的绕制铜管（3），最内层为铜筒（2）。
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