[发明专利]半导体接合保护用玻璃复合物、半导体装置的制造方法以及半导体装置有效
申请号: | 201380002107.3 | 申请日: | 2013-03-29 |
公开(公告)号: | CN104254907A | 公开(公告)日: | 2014-12-31 |
发明(设计)人: | 小笠原淳;伊东浩二;六鎗広野 | 申请(专利权)人: | 新电元工业株式会社 |
主分类号: | H01L21/316 | 分类号: | H01L21/316;C03C8/04;H01L21/329;H01L29/47;H01L29/868;H01L29/872 |
代理公司: | 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 | 代理人: | 郁旦蓉 |
地址: | 日本東京都千*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的半导体接合保护用玻璃复合物是一种用于形成保护pn结的玻璃层的半导体接合保护用玻璃复合物,并且是由一种玻璃微粒构成且不含填充物的半导体接合保护用玻璃复合物,所述玻璃微粒是从将一种玻璃原料熔融而获得的熔液制造的,该玻璃原料以预定的含量至少含有ZnO,SiO2,B2O3,Al2O3,以及BaO、CaO和MgO中的至少两种碱土金属的氧化物,且实质上不含有Pb,As,Sb,Li,Na,K。根据本发明,使用不含铅的玻璃材料也可以制造出可信度高的半导体装置。并且,与以往使用以硅酸铅为主要成分的玻璃材料时相比,能够使得烧制由半导体接合保护用玻璃复合物构成的层时的烧制温度降低,能够制造开关特性优良的半导体装置。 | ||
搜索关键词: | 半导体 接合 保护 玻璃 复合物 装置 制造 方法 以及 | ||
【主权项】:
一种半导体接合保护用玻璃复合物,为了形成用于保护在具有pn结露出的pn结露出部的半导体元件中的所述pn结的玻璃层,其特征在于:由一种玻璃微粒构成,并且不含填充物,其中,所述玻璃微粒是通过将一种玻璃原料熔融而获得的熔液制造而成,所述玻璃原料以下述的含量至少含有ZnO,SiO2,B2O3,Al2O3,以及BaO、CaO和MgO中的至少两种碱土金属的氧化物,且实质上不含有Pb,As,Sb,Li,Na,K,ZnO:30mol%~60mol%,SiO2:5mol%~45mol%,B2O3:5mol%~30mol%,Al2O3:5mol%~13mol%,碱土金属的氧化物:1mol%~10mol%。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造