[发明专利]复合晶片及其制造方法有效
| 申请号： | 201380002366.6 | 申请日： | 2013-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN103703542A | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 岩崎康范;井出晃启;堀裕二;多井知义;宫泽杉夫 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人： | 李晓 |
| 地址： | 日本爱知县名古*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 复合晶片（10）是使支承基板（12）和半导体基板（14）通过直接键合来贴合而成的复合晶片。支承基板（12）是氧化铝纯度在99%以上的透光性氧化铝基板。该支承基板（12）的可见光区域的直线透过率在40%以下。又，支承基板（12）在波长200～250nm下的前方全光线透过率在60%以上。支承基板（12）的平均结晶颗粒直径为10μm～35μm。半导体基板（14）为单结晶硅基板。这样的复合晶片(10）具有与SOS晶片同等的绝缘性及热传导性，能够以低成本进行制作，并能够较容易地制得大直径晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 晶片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种复合晶片，使支承基板和半导体基板通过直接键合来贴合而成，其特征在于，所述支承基板的材料为多结晶透光性陶瓷，所述半导体基板的材料为硅，所述支承基板的在波长200～250nm下的前方全光线透过率高于在波长555nm下的前方全光线透过率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
