[发明专利]采用3D纳米微粒结构体的光学装置有效
| 申请号： | 201380002956.9 | 申请日： | 2013-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN103930364A | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 郑祈男;韩定锡;拜特洛·皮其特撒;崔虎燮;河璟妍;鲁昇烈;金雄植;崔万秀 | 申请（专利权）人： | 首尔大学校产学协力团;多次元能源系统研究集团 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00;B82B1/00;C23C14/32 |
| 代理公司： | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 | 代理人： | 蔡晓红 |
| 地址： | 韩国首尔冠*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于通过纳米微粒的聚焦刻图制造纳米微粒结构体的方法，以及通过所述方法获得的纳米微粒结构体。根据本发明的方法包括：将由火花放电产生的带电纳米微粒和离子引导至衬底的微米/纳米图案上；在由电晕放电所产生的离子在衬底上积聚后，将由火花放电产生的带电纳米微粒和离子聚焦沉积在微米/纳米图案上；其中该微米/纳米图案在所述衬底上形成。根据本发明的方法，可以有效地生产具有复杂结构和三维形状的精确的纳米微粒结构体。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 纳米 微粒 结构 光学 装置 | ||
【主权项】：
一种用于制造纳米微粒结构体的方法，其特征在于，包括步骤：1）将衬底设置在反应器内，并随后施加电场；其中所述衬底具有由带有穿孔图案的掩膜层所形成的微米或纳米图案；2）通过电晕放电产生离子，随后在设置在反应器内的衬底的微米/纳米图案上积聚离子；3）通过对火花放电室内的纳米微粒前驱体进行火花放电，形成带电纳米微粒和离子；以及4）将所述带电纳米微粒和离子引入所述反应器内；随后将与步骤2）中在所述微米/纳米图案表面上积聚的离子极性相同的带电纳米微粒聚焦沉积在所述衬底的所述微米/纳米图案的穿孔部分。
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