[发明专利]一种纳米粒子组装三维结构的制造方法有效
申请号: | 201380002957.3 | 申请日: | 2013-03-04 |
公开(公告)号: | CN104040687A | 公开(公告)日: | 2014-09-10 |
发明(设计)人: | 崔虎燮;崔万秀 | 申请(专利权)人: | 首尔大学校产学协力团;多次元能源系统研究集团 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027 |
代理公司: | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 | 代理人: | 蔡晓红 |
地址: | 韩国首尔冠*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及使用穿孔图案掩模以纳米粒子组装三维结构的制造方法。本发明包括(1)通过在接地反应器中将具有宽度(w)的穿孔图案的掩模设置在将要刻图的衬底之上的一定距离(d)处,且在所述衬底上施加电压以形成电动聚焦透镜的步骤;和(2)将带电纳米粒子引入,并且引导所述带电纳米粒子通过所述穿孔图案到达衬底,使得所述带电纳米粒子以三维形状聚焦和吸附到所述衬底上的步骤。根据本发明,可以高精度和高效率制造具有不同形状的三维结构,且不会产生噪声图。 | ||
搜索关键词: | 一种 纳米 粒子 组装 三维 结构 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种纳米粒子组装三维结构的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:(i)在接地反应器中,将具有穿孔图案的掩模设置在将要刻图的衬底之上的一定距离处,所述穿孔图案与预定图案对应;然后在所述衬底上施加电压,以形成电动聚焦透镜;(ii)将带电纳米粒子引入所述反应器中,并且引导所述带电纳米粒子通过所述穿孔图案到达衬底,使得所述带电纳米粒子以三维形状选择地吸附到所述衬底上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于首尔大学校产学协力团;多次元能源系统研究集团,未经首尔大学校产学协力团;多次元能源系统研究集团许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201380002957.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:控制电路以及电源变换器
- 下一篇:间接分支预测
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造