[发明专利]复合基板及其制法有效
| 申请号： | 201380003307.0 | 申请日： | 2013-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN103999366A | 公开（公告）日： | 2014-08-20 |
| 发明（设计）人： | 堀裕二;多井知义;岩崎康范;山寺乔纮;服部良祐;铃木健吾 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社;NGK陶瓷设备株式会社 |
| 主分类号： | H03H9/25 | 分类号： | H03H9/25;H03H3/08 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人： | 李晓 |
| 地址： | 日本国爱知县名*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的复合基板是压电基板与支承基板介由含Ar的非晶层接合而成的复合基板，所述压电基板为钽酸锂或铌酸锂的单晶基板，所述支承基板为硅的单晶基板。非晶层从压电基板向着复合基板，具有第1层、第2层及第3层。其中，第1层比第2层及第3层含有更多的构成压电基板的元素（Ta等），第3层比第1层及第2层含有更多的构成支承基板的元素（Si），第2层比第1层及第3层含有更多的Ar。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 及其 制法 | ||
【主权项】：
一种复合基板，是压电基板与支承基板介由含Ar的非晶层接合而成的复合基板，所述压电基板为钽酸锂或铌酸锂的单晶基板，所述支承基板为硅的单晶基板，所述非晶层从所述压电基板向着所述复合基板，具有第1层、第2层及第3层，所述第1层比所述第2层及所述第3层含有更多的构成所述压电基板的元素，所述第3层比所述第1层及所述第2层含有更多的构成所述支承基板的元素，所述第2层比所述第1层及所述第3层含有更多的Ar。
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