[发明专利]波导结构、波导耦合结构、及制备方法有效
申请号: | 201380003790.2 | 申请日: | 2013-11-13 |
公开(公告)号: | CN104813204B | 公开(公告)日: | 2018-06-26 |
发明(设计)人: | 胡菁;周小平 | 申请(专利权)人: | 华为技术有限公司 |
主分类号: | G02B6/124 | 分类号: | G02B6/124 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 518129 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供三种波导结构,包括突出式、掩埋式、和重沉积型的。三种波导结构均应用于SOI基阵列波导光栅中的阵列波导的直波导部分,突出式的所述波导结构包括呈轴对称设置的两个第一端部,所述第一端部在沿靠近对称轴方向上依次分为第一区域、第二区域和第三区域;所述波导结构包括第一硅衬底层、第二硅衬底层、第一二氧化硅层、第二二氧化硅层和第一硅波导层。还提供了波导结构相应的制备方法,及波导耦合结构。本发明提供的所述波导结构,及其耦合结构,具有小尺寸、低偏振相关性、低温度敏感性的优点,且串扰值高于25dB,满足光无源网络系统的要求,为所述阵列波导光栅的商用化提供了可行性。 | ||
搜索关键词: | 波导结构 阵列波导光栅 二氧化硅层 波导耦合 第一端部 硅衬底层 突出式 制备 无源网络系统 对称轴方向 温度敏感性 轴对称设置 第二区域 第一区域 硅波导层 阵列波导 耦合结构 沉积型 低偏振 商用化 掩埋式 直波导 串扰 应用 | ||
【主权项】:
1.一种波导结构,所述波导结构应用于基于绝缘体上的硅基阵列波导光栅中的阵列波导的直波导部分,其特征在于,所述波导结构包括呈轴对称设置的两个第一端部,所述第一端部在沿靠近对称轴方向上依次分为第一区域、第二区域和第三区域;所述波导结构包括第一硅衬底层、第二硅衬底层、第一二氧化硅层、第二二氧化硅层和第一硅波导层;在所述第一区域中,所述第一硅衬底层、所述第二硅衬底层、所述第一二氧化硅层、所述第二二氧化硅层和所述第一硅波导层依次层叠覆盖,所述第一硅波导层的宽度为定值,光信号在所述第一硅波导层内传输;在所述第二区域中,所述第二硅衬底层刻蚀为第一空气层;所述第一硅衬底层、所述第一空气层、所述第一二氧化硅层、所述第二二氧化硅层和所述第一硅波导层依次层叠覆盖,所述第一硅波导层的宽度在靠近所述对称轴的方向上逐渐减小,所述光信号由所述第一硅波导层逐渐向由所述第一二氧化硅层和所述第二二氧化硅层组成的第一脊型二氧化硅波导层中传输;在所述第三区域中,所述第二硅衬底层刻蚀为所述第一空气层;所述第一硅衬底层、所述第一空气层、所述第一二氧化硅层和所述第二二氧化硅层依次层叠覆盖,所述第一硅波导层的宽度为0,所述光信号在由所述第一二氧化硅层和第二二氧化硅层组成的所述第一脊型二氧化硅波导层中传输。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华为技术有限公司,未经华为技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201380003790.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。