[发明专利]半导体发光器件

摘要

本公开涉及一种半导体发光器件，包括：第一电极，第一电极向多个半导体层提供电子或电子空穴；第二电极，第二电极用于向所述多个半导体层提供第一电极不提供的空穴或电子空穴；不导电的分布式布拉格反射器，耦接到所述多个半导体层，反射来自有源层的所述光；以及第一透明膜，从相对于不导电分布式布拉格反射器与所述多个半导体层相对的侧耦接到分布式布拉格反射器，并且具有比分布式布拉格反射器的有效折射率低的折射率。

主权项

一种半导体发光器件，所述半导体发光器件包括：在生长衬底上顺序生长的多个半导体层，所述多个半导体层包括具有第一导电性的第一半导体层、具有不同于所述第一导电性的第二导电性的第二半导体层、以及介于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的、经由电子空穴复合产生光的有源层；第一电极，所述第一电极与所述第一半导体层电接触以用于向所述第一半导体层提供电子；第二电极，所述第二电极与所述第二半导体层电接触以向所述第二半导体层提供空穴；不导电分布式布拉格反射器，所述不导电分布式布拉格反射器介于所述第二电极和所述多个半导体层之间，用于反射来自所述有源层的光；以及第一透光膜，所述第一透光膜介于所述第二电极和所述不导电分布式布拉格反射器之间并且与所述不导电分布式布拉格反射器接触使得所述不导电分布式布拉格反射器作为传播部分，在所述传播部分中被截留的光可被传播到所述不导电分布式布拉格反射器的横向面，其中，所述第一透光膜具有比所述不导电分布式布拉格反射器的有效折射率低的折射率，其中，所述第一透光膜具有大于λ/4的厚度，并且其中，λ是在所述有源层中产生的光的波长，并且n是所述第一透光膜的折射率。