[发明专利]制造氧化硅沉积物的方法和系统有效
申请号: | 201380004227.7 | 申请日: | 2013-02-28 |
公开(公告)号: | CN104024160B | 公开(公告)日: | 2017-09-01 |
发明(设计)人: | 西峰正进;福冈宏文 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | C01B33/113 | 分类号: | C01B33/113;H01M4/48 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人: | 李英 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 通过以下方式连续制备氧化硅沉积物将含有二氧化硅粉末的粉末进料供给至反应室,将该进料在1200‑1600℃下加热以产生氧化硅蒸气,将该蒸气通过维持在或高于反应室的温度的传送管线输送至沉积室,从而引起氧化硅沉积在冷基板上,从沉积室移除氧化硅沉积物。提供两个沉积室,且输送蒸气的步骤交替地从一个沉积室转换至另一个沉积室。 | ||
搜索关键词: | 制造 氧化 沉积物 方法 系统 | ||
【主权项】:
一种连续制备氧化硅沉积物的方法,其包括以下步骤:将含有二氧化硅粉末的粉末进料供给至反应室;在反应室中、在惰性气体中、在常压或减压下以及在1200至1600℃的温度下,加热该进料以对该进料进行反应来产生氧化硅蒸气;通过传送管线将该氧化硅蒸气输送至沉积室,该沉积室具有配置于其中的基板,冷却该基板,将该传送管线维持在等于或高于反应室温度的温度,从而使氧化硅以块状沉积在基板上,并通过振动器振动该基板以便从该基板上移除氧化硅沉积物;和当将该氧化硅蒸气输送至沉积室的步骤中断时,从沉积室移除氧化硅沉积物;其中提供至少两个沉积室和选择器装置,该选择器装置用于交替地使氧化硅蒸气的输送从一个沉积室转换至另一个沉积室,输送该氧化硅蒸气的步骤交替地从一个沉积室转换至另一个沉积室,且在各沉积室中,依序重复将氧化硅蒸气输送至沉积室和中断的步骤,从而从该至少两个沉积室回收氧化硅沉积物,且移除氧化硅沉积物的步骤包括中断氧化硅蒸气至沉积室的输送及冷却基板,使得该氧化硅沉积物自发地从基板剥离,使该氧化硅沉积物从沉积室落入通过阀与沉积室连接的回收装置中,并在该阀关闭之后从该回收装置回收该沉积物,随之移除该氧化硅沉积物,其中在从中断氧化硅蒸气至沉积室的输送到氧化硅沉积物自发性剥离的期间将该基板以至少60℃/小时的速率冷却。
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